[12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12a-N406-3] InAs/GaAs量子ドット構造における低温カバー層成長の光学特性への影響

〇奥村 滋一^1,2、藤澤 和輝¹、成毛 環美¹、西 研一¹、大西 裕¹、武政 敬三¹、菅原 充¹、杉山 正和² (1.QDレーザ、2.東大先端研)

キーワード：分子線エピタキシー、量子ドット、フォトルミネッセンス

InAs/GaAs量子ドット構造において、低温カバー層成長が光学特性に与える影響について、成長温度と厚さ依存性を検討した。 その結果、低温カバー層成長時に量子ドットの歪の影響で形成されるピットが転位の起源となり、 高温GaAs中間層成長前にピットが低減された表面であることが高い光学特性を得る上で重要であるという知見を得た。