[12a-S201-1~9] 次世代発光材料の創製とデバイス応⽤

△ [12a-S201-5] Donor-Acceptor QD間のエネルギー移動を用いた高性能ペロブスカイトQD-LEDの開発

〇江部 日南子¹、上野 瑞穂¹、篠塚 奈瑠美¹、鄭 宇宏¹、鈴木 陸央¹、千葉 貴之¹、城戸 淳二¹ (1.山形大院有機)

キーワード：ペロブスカイト、量子ドット

ペロブスカイト量子ドット (PQD) は、可視領域における広い色域と高い発光量子効率を示し、安価かつ簡便な塗布プロセスが可能なことから、次世代のLED材料として注目を集めている。本研究では、異なるバンドギャップを持つDonor QDとAcceptor QD間でのエネルギー移動を利用した高性能PQD-LEDを開発した。QD間のエネルギー移動により励起子と電荷の相互作用を抑制することで、デバイス寿命を大幅に向上できることを明らかにした。