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△ [12a-S203-5] 4H-SiC(0001)基板を用いたTi2O3薄膜の合成
キーワード:酸化物チタン、金属ー絶縁体転移
Ti2O3は約450Kで緩やかな金属-絶縁体転移(MIT)を示し、その前後で結晶の対称性を保ったままc 軸長とa 軸長の比(c/a比)のみが大きく変化する。それゆえ、格子歪によるc/a 比の制御はTi2O3のMITを理解するために重要である。本研究では、広い基板温度で安定して Ti2O3薄膜を成長できる基板として六方晶構造を持つ4H-SiCに着目し、基板温度を変化させることによりTi2O3のc/a 比を広範囲で制御可能なことを明らかにした。