2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[12a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

山田 浩之(産総研)

10:00 〜 10:15

[12a-S203-5] 4H-SiC(0001)基板を用いたTi2O3薄膜の合成

〇(M2)宮崎 悟1、吉松 公平1、長谷川 直人1、組頭 広志1 (1.東北大多元研)

キーワード:酸化物チタン、金属ー絶縁体転移

Ti2O3は約450Kで緩やかな金属-絶縁体転移(MIT)を示し、その前後で結晶の対称性を保ったままc 軸長とa 軸長の比(c/a比)のみが大きく変化する。それゆえ、格子歪によるc/a 比の制御はTi2O3のMITを理解するために重要である。本研究では、広い基板温度で安定して Ti2O3薄膜を成長できる基板として六方晶構造を持つ4H-SiCに着目し、基板温度を変化させることによりTi2O3c/a 比を広範囲で制御可能なことを明らかにした。