[12a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12a-S203-7] パルスレーザー堆積法による単結晶Sn₂Nb₂O₇薄膜作製とTi置換

〇伊藤 宏陽¹、藤田 貴啓¹、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：パルスレーザー堆積法、パイロクロア、スズ酸化物

パイロクロア型構造を持つSn₂Nb₂O₇はフェルミ面付近に「擬フラットバンド」構造を有すとされ、ホールドープによって磁性元素を持たないにも関わらず強磁性が発現し得るなど、特徴的な物性を持つと期待されている。本研究ではパルスレーザー堆積(PLD)法を用いて基板温度とレーザー強度を変化させてSn₂Nb₂O₇単結晶薄膜を作製し、成膜条件を調べた。またNb⁵⁺をTi⁴⁺で置換することでホールドープを試み、格子定数の縮小とバンドギャップの逓減を観測した。