[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-1] 常圧液相成長法により作製したGaN薄膜結晶性の成長条件依存性

〇(M2)勝海 正隆¹、赤坂 哲也¹ (1.明星大理工)

キーワード：窒化ガリウム、常圧、液相エピタキシー

低欠陥密度で高品質なGaN単結晶を実現する液相成長法において、圧力制御が不要な大気圧下での成長手法(常圧LPE法)が報告されている。金属ガリウムと窒化鉄を原料とした簡易プロセスでの実施は、低コスト化を目指す新規成長法の一つとして期待される。本研究では、原料配合比や成長温度等のパラメータをより詳細に検討し、常圧LPE法により得られた結晶の表面モフォロジーおよび結晶構造の評価について報告する。