[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-2] 高品質SCAAT^TM GaNシードを用いた低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法によるGaN単結晶成長

〇栗本 浩平¹、包 全喜¹、三川 豊²、冨田 大輔³、嶋 紘平³、小島 一信³、石黒 徹³、秩父 重英³ (1.日本製鋼所、2.三菱ケミカル、3.東北大多元研)

キーワード：ガリウムナイトライド（GaN）、アモノサーマル法、バルク結晶

大口径バルクGaN結晶の量産化手法の一つとして酸性アモノサーマル法が期待されている。我々のグループは低圧酸性アモノサーマル法（LPAAT法）によるGaN単結晶成長技術の開発に取り組んできた。本講演では、高品質な SCAAT™ シードを用いて LPAAT 法で成長させた結晶の品質などについて報告する。