[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-N101-5] Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査

〇山内 彪我¹、Ricksen Tandryo¹、山田 拓海¹、村上 航介¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法、転位挙動

Naフラックス法によって作製された自立GaN結晶は非常に高品質であり、GaN系デバイスの普及に向けて量産が求められる。しかし、現状の育成プロセスでは多くの時間が必要となるため、近年ではプロセスの短縮に向け、得られた高品質な結晶を種基板として再利用し、厚膜化することを目指している。本研究では、ホモエピタキシャル成長時の転位挙動に着目し、厚膜化の際に種基板の品質を引き継ぐような育成条件の探索に取り組んでいる。