[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-N101-7] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO₂/AlN導波路の設計

〇本田 啓人¹、梅田 颯志¹、正直 花奈子^1,2、三宅 秀人^2,3、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：紫外、窒化物半導体、光デバイス

波長230 nm近傍の遠紫外光は皮膚表層の核酸のない角質層で吸収される。一方で、ウイルスの不活化や殺菌にも有効である。よって、遠紫外光源は人体に対し無害な消毒・殺菌灯として注目されている。我々は、この波長帯の光源として強い光学非線形性を有する窒化物半導体による第二高調波発生（SHG）を用いた極性反転 横型擬似位相整合（QPM）導波路型デバイスを提案してきた。しかし、極性反転構造の作製は複雑である。そこで本講演では、波長変換効率は低くなるものの、成膜が容易なアモルファス膜とAlN薄膜からなる非極性/極性 横型QPM導波路を提案し、設計を行った。