[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-8] 電子線ホログラフィーを用いたAlGaNホモ接合トンネルジャンクションの電位分布解析

〇永田 賢吾^1,2、穴田 智史³、齋藤 義樹²、久志本 真希¹、本田 善央⁴、竹内 哲也⁵、天野 浩⁴、山本 和生³、平山 司^3,4 (1.名大院工、2.豊田合成、3.ファインセラミックスセンター、4.名大未来材料・システム研究所、5.名城大)

キーワード：紫外線LED、トンネルジャンクション、AlGaN

LED特性向上のためには，LED内部の電位分布を正確に評価することが重要である．本研究では，電子線ホログラフィーを用いて， AlGaN トンネル接合深紫外 LED内部の電位分布を直接観察する . 位相分布は，設計構造や SIMS 結果を考慮すると，ドーパントタイプ・濃度分布をよく反映しており，すべての界面 で 電位の変化が観測できている事がわかった. また, TJ 界面から広がる空乏層幅は 位相変化が大きい部分を示しており, 1 0nm程度と見積もられた.