[12p-N104-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [12p-N104-2] GeTe系導電性ブリッジメモリにおける周波数逓倍特性

〇(D)殷 ユウヒ¹ (1.上智大学)

キーワード：GeTe系導電性ブリッジメモリ、周波数逓倍特性、逓倍器

電気化学反応を介してAgなどの活性金属イオンが固体電解質である非晶質カルコゲナイド中を移動する現象は，興味深い物理現象としてのみならず，センサー，メモリなど広い応用に向け研究されている。我々は相変化メモリに用いられているGeTe系薄膜を利用した周波数逓倍素子の開発に取り組んでいる。今回，導電性ブリッジメモリ（CBRAM）素子を作成し，SET状態，RESET状態に依存した高調波出力特性を得たので報告する。