[12p-N106-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[12p-N106-10] III-V族半導体表面金属ストライプ構造からの中赤外輻射スペクトルの材料依存性

〇折戸 春樹¹、林 鴻太郎¹、Hnin Lai Lai Aye¹、馬 蓓¹、石谷 善博¹ (1.千葉大院工)

キーワード：フォノン系テラヘルツ輻射、Ⅲ-Ⅴ族半導体