2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-N205-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

2021年9月12日(日) 13:45 〜 17:45 N205 (口頭)

永瀬 隆(阪府大)、横田 知之(東大)

14:45 〜 15:00

[12p-N205-5] 単一の電流電圧特性を用いた電極接合パラメータの抽出:
ルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象への適用

水上 詢1、野内 亮1,2 (1.大阪府立大院工、2.JSTさきがけ)

キーワード:ダブルショットキー、電荷注入障壁、障壁高さスイッチング

当グループは、MSM(金属-半導体-金属)接合のたった一つの電流電圧特性から、種々のMS接合パラメータを抽出する理論的手法を提案してきた。本手法に関して、様々なパラメータ設定におけるシミュレーションを行い、各設定における情報抽出精度の評価を行った。さらに、大気中の水分子の影響によるルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象へ適用し、素子中の2つのMS接合についてパラメータ抽出を行った結果も報告する。