[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-N206-19] 表面修飾したシクロオレフィンポリマー基板上におけるZnO薄膜の高配向成長と特性評価

〇(D)大賀 友瑛¹、金子 奈帆¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化亜鉛、ポリマー、表面修飾

高い結晶性・配向性をもつワイドギャップ酸化物半導体薄膜をポリマー基板に形成することでフレキシブルデバイスへの応用が期待される。熱的安定性の低いポリマー基板上における配向成長には、低温での核形成や成長方位制御が必要であり、基板表面のパターン形成や酸化物バッファ層導入などの複合的な表面修飾プロセス応用が期待できる。本研究では、ポリマー基板の表面修飾がZnO薄膜の結晶成長と特性に及ぼす影響について検討した。