[12p-N221-1~11] 2.1 検出器デバイス開発

△ [12p-N221-2] BGaNダイオードの高温環境下における検出特性評価

〇林 幸佑¹、中川 央也²、宮澤 篤也¹、川崎 晟也³、本田 善央⁴、天野 浩^4,5、井上 翼¹、青木 徹²、中野 貴之^1,2 (1.静大院工、2.静大電研、3.名大院工、4.名大IMaSS、5.赤崎リサーチセンタ)

キーワード：GaN、半導体検出器、放射線検出器