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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:30 N301 (口頭)

安井伸太郎(東工大)、恵下隆(和歌山大)

16:15 〜 16:30

△ [12p-N301-11] 製膜後RTA処理したミストCVD Hf_xZr_1-xO₂薄膜の各特性

〇(M2)藤原悠希¹、西中浩之¹、吉本昌広¹、野田実¹ (1.京工繊大)

キーワード：二酸化ハフニウムジルコニウム、ミストCVD、強誘電体