[12p-N304-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [12p-N304-11] Cu配線上WビアにおけるTiNバリアメタルの検討

〇澤田 元気¹、北村 政幸¹、加藤 敦史¹、松田 浩亮¹、有田 幸司¹、田上 政由¹、中嶋 由美¹、大賀 淳¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：Cu配線、Wビア、TiNバリアメタル

近年、世の中で生成されるデータは今後爆発的に増加していくため大容量、高速かつ低ビットコストを実現する3次元フラッシュメモリへの要求が益々高まっている。この要求を満たすため高積層化と微細化というプロセス技術開発を進めているが特にメモリセルや周辺回路における配線の微細化は重要な要素である。本発表では、微細Cu配線上の高アスペクト比WビアにおけるTiNバリアメタルが引き起こす問題を明らかにし解決策を提案する。