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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12p-N304-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N304 (口頭)

東悠介(キオクシア)、小池淳一(東北大)

15:00 〜 15:15

[12p-N304-7] ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMマクロの設計と解析

〇原拓実¹、塩津勇作¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM、低消費電力