[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-6] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価

和田 悠平¹、〇溝端 秀聡¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、細井 卓治¹、櫻井 秀樹²、加地 徹³、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.ULVAC 先進研、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：超高圧活性化熱処理、Mgイオン注入GaN、MOSFET

縦型GaN パワーデバイスの実現にはMgイオン注入技術が重要である。近年，Mgイオン注入後に超高圧活性化熱処理（UHPA）を用いたp-GaNの作製が報告されたが ，これを用いたp-GaN MOSデバイスの評価は行われておらず，絶縁膜/GaN界面における正孔の挙動には未だ不明な点が多い。本研究では，UHPAを施したMgイオン注入GaNを用いたpチャネルMOSFETの電気特性評価について報告する。