2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N406 (口頭)

佐々木 拓生(量研機構)、朝日 重雄(神戸大)

15:00 〜 15:15

[12p-N406-8] Bi援用相互拡散法による通信波長帯単一光子発生に向けたInAs量子ドットの低密度化

金木 潔良1、赤羽 浩一2、前田 智弘1、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情通機構)

キーワード:単一光子、量子ドット、半導体

通信波長帯における理想的な単一光子源を実現するため、本研究ではS-Kモードによる自己組織化InAs量子ドットの低密度化に関して検討を行った。さらに、フォトリソグラフィーとエッチングによる量子ドットの数量制御の検討を行ったのでこれを報告する。