[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [12p-S203-13] p型透明SnO薄膜の作製と溶液反応による硫化プロセスの検討

〇内田 直理¹、相馬 拓人¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

キーワード：p型透明半導体、パルスレーザ堆積法、溶液化学反応

一酸化スズSnOは高移動度p型透明半導体として盛んに研究されており、結晶品質とp型導電性の向上が課題となっている。一硫化スズSnSはSnOよりも更に高い移動度を示すp型半導体であるが、合成はより困難である。本研究では、エピタキシャル安定化したSnO薄膜を作製し、溶液化学反応を用いたイオン交換によりSnSを合成するプロセスを検討した。講演では、反応の進行に伴う光学・電気特性の変化とそのメカニズムについて議論する。