[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-10] チャネル部追成長による反転層ダイヤモンドMOSFETの電気特性改善

〇(M2)山河 智哉¹、松本 翼¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、張 旭芳¹、加藤 宙光²、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、Nebel Christoph E.³、徳田 規夫¹ (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET

近年、我々の研究室で世界初のダイヤモンドを用いた反転層MOSFETの実現が報告された。しかしダイヤモンドは加工が困難であり、デバイス作製プロセスについては未だに多くの課題が残っている。その課題の一つに、低抵抗な埋め込み層を実現する手法が確立していないという問題がある。本研究では、選択成長の後にチャネルとなるn層の追成長を行うことで埋め込み層を作製し電気特性を評価、比較した。