[12p-S301-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12p-S301-11] 高濃度ボロンドープダイヤモンドMOSFETsの大電流密度達成に向けた接触抵抗の低減

〇高橋 輝¹、久樂 顕¹、浅井 風雅¹、荒井 雅一¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド

本研究では大電流密度達成に向けてダイヤモンド基板上に加えられた高濃度ボロンドープ層がMOSFETの接触抵抗に与える影響をＴＬＭ測定により調べた。結果的にボロンドープ層を加えたことでシート抵抗は減少され、接触抵抗の値も10分の１以下にまで減少した。更にボロンドープ層と2DHG間の抵抗の値は0.96 Ω mmと算出され、障壁がほとんど無かったことから高周波ハイパワー化に有効であることが確認できた。