[13a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13a-N304-5] P型物理形成シリコン量子ドットRF電荷センサの感度特性評価

〇溝口 来成¹、西山 伸平^1,2、加藤 公彦²、柳 永勛²、村上 重則²、森 貴洋²、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：量子ドット、シリコン、RF反射測定

シリコン量子ドット中の正孔スピンは、量子ビットの集積化に有望な系であるが、重要な要素である量子状態の単発測定は報告されていない。本研究ではこの準備段階として、物理形成量子ドット系において、単発測定に利用できるRF電荷センサの感度を調べた。4.2 KにおけるRF反射測定から、コンダクタンス感度を見積もり、その値が正孔スピンの緩和時間と同程度の時間で測定できる可能性を示すものであることを明らかにした。