[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-S201-9] MgS_xO_1-x混晶のバンドアライメント

〇太田 優一¹、金子 健太郎²、尾沼 猛儀³、藤田 静雄² (1.都産技研、2.京都大学、3.工学院大学)

キーワード：超ワイドギャップ半導体、酸化物半導体、混晶半導体

MgS_xO_1-x混晶のバンドアライメントを第一原理計算に基づいて推定した。S組成を変化させることで価電子帯上端の位置を変調することが可能であることを見出した。その一方でバンドギャップは非線形的な振る舞いを示すことも示唆された。