[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-S203-6] MOCVD堆積CuO薄膜のポストアニール処理による電気抵抗低減

〇成島 光宣¹、伊勢 真矢¹、川合 晃平¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：CuO、アニール、MOCVD

我々は有機金属気相成長(MOCVD)法によりCuO薄膜の作製を行ってきたが、高抵抗で明確なp型伝導を示さないという問題がある。MOCVD法を用いて作製したCuO薄膜に対し、塩化ナトリウムおよび酢酸ナトリウム粉末中でのポストアニール処理によりNaドーピングを試みた。酢酸ナトリウム粉末中で325および330℃でアニールしたところ、室温付近の抵抗値が低減し、その活性化エネルギーも低減したが、熱起電力は観察されなかった。これらに酸素雰囲気中500℃でアニール処理を行ったところ、活性化エネルギーは微増したが、抵抗値は2桁低減した。Naの活性化ではなく、熱処理により結晶品質の向上が原因と考えている。