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△ [13p-N203-5] コンビナトリアル手法を用いたトンネルFET用n型酸化物半導体チャネル材料の検討
キーワード:トンネルFET、コンビナトリアル手法
デバイス全体の低消費電力化の実現に向けて、n型酸化物半導体(n-OS)のZnOとp型IV族半導体(p-IV)のSi及びGeを組み合わせたbilayer構造TFETが提案されていたが、ZnOは粒成長の不均一性によって、膜全体でのトンネル距離を一定にするのが困難である。本研究では、n-OS層に非晶質のTixZn1-xO1+x及びGa2xZn1-xO1+2x膜を用いて、組成と平坦性、電気特性、電子状態の相関について検討を行い、その結果を報告する。