[13p-S201-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-S201-2] β型酸化ガリウム中へのp型ドーパント探索Ⅰ－Face to Face 配置アニール－

〇(M1)三木 隼之介¹、飯村 隆介²、宮本 将伸¹、嶋津 亮¹、山腰 茂伸²、佐々木 公平²、倉又 郎人²、三木 一司¹ (1.兵庫県立大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、p型ドーパント

パワーデバイスの新材料として低コスト、高耐圧、低損失化が期待できるβ-Ga₂O₃が注目されている。しかし、β-Ga₂O₃は p 型ドーパントが未発見であるため、高耐圧なデバイスの開発が困難な状況にある。そこで我々は、イオン注入法を用いてp型不純物探索を行っている。高温アニールによるドーパント活性化を試みた際、1000℃以上のアニールにおいて表面近傍が絶縁化するといった課題が存在するため、本研究ではこの課題の解決法を模索する。