[13p-S203-1~15] 6.3 Oxide electronics

[13p-S203-13] Inverse Tunnel Magnetoresistance in Magnetic Tunnel Junction with an NiCo₂O₄ Electrode

〇Yoshinori Hara¹, Asaka Tsujie¹, Toshihiro Shimada², Taro Nagahama² (1.CSE. Hokkaido Univ., 2.Eng. Hokkaido Univ.)

Keywords:magnetic tunnel junction, tunnel magnetoresistance, magnetic oxide

NiCo₂O₄は、金属的な電気伝導性、フェリ磁性、基板との組み合わせにより垂直磁気異方性を示すことが知られており、スピントロニクス材料への応用が期待されている。また理論的には、スピン分極率が－100 %であることが示されおり、磁気トンネル接合の電極に用いることで、大きなTMR比が得られることが予測される。本研究では、NiCo₂O₄を用いた磁気トンネル接合のTMR効果を調べ、NiCo₂O₄のスピン分極率を評価した。