[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-2] NdNiO₃薄膜における水素誘起高抵抗化現象と密度汎関数理論シミュレーション

〇谷口 勇貴¹、Musa Alaydrus²、濱田 幾太郎²、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.阪大工)

キーワード：イオントロニクス、金属絶縁体転移、第一原理計算