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[21p-P01-31] 多孔型中間電極を用いたデュオプラズマトロン型イオン源からの分子イオン引き出し
キーワード：CMOSイメージセンサー
CMOSイメージセンサは撮像分野だけでなく，車載やバイオ医療応用まで幅広い分野への応用が期待されている．しかし，CMOSプロセスの微細化は半導体ウェハ中のわずかな金属及び酸素汚染でさえもデバイスの性能を大きく低下させる要因となり得る．これら汚染元素の対処技術として，炭化水素イオン注入ゲッタリングウェハが提案されており，本研究はこの技術の向上を目指したものである．また多孔型中間電極を取り付けたデュオプラズマトロン型イオン源を用いて，様々な放電パラメータに対する分子イオン生成を報告する．