[22a-P03-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P03-14] ミストCVD法によるα-V₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇赤岩 和明¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹ (1.鳥取大学)

キーワード：酸化物半導体、酸化バナジウム、金属-半導体超格子

新たなデバイス機能の開拓が期待される金属-半導体超格子構造の創製を目指し、コランダム構造酸化物の酸化バナジウムと酸化ガリウムの積層構造作製を念頭に、ミストCVD法による酸化バナジウム薄膜のsapphire基板上への結晶成長を試みた。 c面sapphire基板上にc軸配向した酸化バナジウム薄膜が得られ、また極点測定によりsapphire基板との面内配向の一致を確認でき、酸化バナジウム薄膜がsapphire基板上にエピタキシャル成長している事が確認できた。