[22a-P03-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P03-4] Pt/Ti_1-xFe_xO_2-d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な電流応答

〇(M2)福島 吉顕¹、石田 潤一郎¹、高田 文朝¹、堀場 弘司²、組頭 広志^2,3、樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研、3.東北大多元研)

キーワード：酸化物半導体、脳型特性

本研究では、TiO₂にFeをドープしたPt/Ti_1-xFe_xO_2-d/Ptクロスポイント構造膜をスパッタ法に作製し、パルス電圧の電圧間隔を変えたメモリ特性の評価を行い、ドープ量の変化によるメモリ特性の変化を評価したので報告する。この構造膜は、整流作用をもつショットキー特有のI-V特性を示した。短い時間間隔を持つパルスをかけたところ、不揮発的な電流応答を示した。