[22a-P09-1~14] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[22a-P09-1] MBEによりGaAs(001)基板上に成長したFeTe薄膜へのアニール効果

〇安齊 廷玄¹、金澤 研¹、黒田 眞司¹ (1.筑波大学数理物質)

キーワード：磁性半導体、スピントロニクス、室温強磁性

我々は、室温で強磁性となる磁性半導体の探索として、分子線エピタキシー法を用いてGaAs基板上にFeTe系遷移金属化合物を堆積させた。ある条件で作製したFeTe系の薄膜試料は異相析出物の存在を示唆する結果が得られたが、室温で強磁性を示した。そこで本研究では結晶性および磁化特性の向上を期待して、試料作製後にアニール処理を施した。当日の発表では室温強磁性薄膜の結晶性と磁化特性について発表する予定である。