[22p-P01-1~12] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22p-P01-6] マイクロ波プラズマを用いた単層MoS₂の硫黄欠陥形成におけるイオン照射量の影響

〇浅田 柊哉¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：プラズマ、MoS2、欠陥

二硫化モリブデン（MoS₂）における低温プラズマ処理は制御性と選択性に優れており、硫黄欠陥形成や元素ドープに有効な手法と考えられるが、イオン衝撃により構造の乱れを引き起こし、MoS₂膜の特性劣化に繋がる。本研究では、プラズマ処理における処理時間と試料位置を調整してイオン照射量を変化させ、硫黄欠陥形成への影響を調べた。XPSから試料位置を固定し処理時間を調整したとき、イオン照射量が増加するとラジカルの影響が表れ始めたことが分かった。PL法からイオン照射量が増加するとB励起子/A励起子は増加し、欠陥の形成が確認された。またA^-トリオン/A励起子は減少し、原子吸着により電子密度が低下したためと考えられる。