2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-P04-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年9月23日(木) 09:00 〜 10:40 P04 (ポスター)

09:00 〜 10:40

[23a-P04-2] トポロジカル絶縁体Bi2Se3エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトルの膜厚依存性

野崎 孝武1、近藤 智裕1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:Bi2Se3、トポロジカル絶縁体

本研究では基板温度120 ºCの低温1段階成長法を用いて膜厚の異なるBi2Se3エピタキシャル膜を成長し,偏光ラマンスペクトルを測定した.その結果,偏光解消度評価によりディラック点にギャップが開く2次元限界膜厚が評価できることを見いだしたので報告する.