[23a-P05-1~2] 13.3 絶縁膜技術

[23a-P05-2] MONOS型不揮発性メモリ素子の電荷捕獲膜に注入された電子と正孔のチャージセントロイドの決定

〇松本 明莉¹、西垣 祐汰¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜、不揮発性メモリ