[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-11] GaN/SiO₂界面におけるホールトラップ準位計算

〇辻 英徳¹、大内 祐貴¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：半導体、GaN、MOS界面

p型GaN-絶縁膜界面の界面準位の起源を調べるため、Ga極性面GaN/SiO₂構造について第一原理計算を用いてバンド構造の計算を行った。その結果、価電子帯近傍のギャップ中に界面由来の局在準位が形成され、ホールトラップとなる可能性があると判明した。更に、界面に欠陥を導入することでこの局在準位のエネルギーが変化し、トラップされるホールが放出されにくくなる可能性が示唆された。