[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-12] ALD-Al₂O₃の膜質がAl₂O₃/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性に及ぼす影響

〇柴田 匠哉¹、上沼 睦典¹、山田 高寛²、西村 邦彦²、吉嗣 晃治²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.三菱電機㈱)

キーワード：Al2O3、C濃度、MIS構造

我々はALDプロセスにおいて、Al(CH₃)2H （DMAH）を用いることで，Al₂O₃中の炭素濃度低減可能であり，これまでに，SiやGaN MOS構造においてデバイスの界面準位密度（D_it）が改善されることを報告してきた。本研究では、ALDによるAl₂O₃成膜時の条件により、膜中炭素濃度がHAXPES測定のスペクトルに与える影響について評価し、膜中炭素濃度と膜中固定電荷と相関を明らかにした。