[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-2] Cl₂/HBr/O₂プラズマを用いた4H-SiC高選択比RIEの評価

〇(M1)竹内 陸¹、佐藤 旦¹、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス)

キーワード：半導体、SiC

短チャネル4H-SiC MOSFETsでは短チャネル効果抑制を行う必要があるが、その抑制方法としてFinFETsやトライゲートなどのデバイス3次元化がある。それらを作製するにはエッチングによるFin構造形成が不可欠であり、マスク材料との高選択比SiCエッチングが求められる。本研究では4H-SiCエッチングとして、Cl₂/HBr/O₂ プラズマを用いた反応性イオンエッチング（RIE）を行い、形状や選択比の評価を行ったので報告する。