2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月23日(木) 11:00 〜 12:40 P11 (ポスター)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-17] ワイドバンドギャップ半導体評価用連続温度可変フォトルミネッセンス装置

沖野 隼之介1、内田 智之1、杉江 隆一1 (1.東レリサーチセンター)

キーワード:フォトルミネッセンス、ワイドバンドギャップ半導体、欠陥

顕微鏡用冷却加熱試料ステージを顕微フォトルミネッセンス(PL)装置に組み込むことで、低温–高温PLスペクトル測定装置を作製した。バンドギャップの異なる窒化ガリウム(GaN), 炭化ケイ素(4H-SiC), ガリウムリン(GaP)におけるPLスペクトル温度依存性を120 Kから500 Kにおいて測定した。GaNにおいては室温より高温のPL測定も含めてアレニウス型のモデル関数でよく再現され、高温域のPLスペクトル測定が必須であることを確認した。