[23a-P12-1~5] 13.9 化合物太陽電池

[23a-P12-4] 二源系ファインチャネルミストCVD法によるCu₂SnS₃薄膜の作製

〇岡村 和哉¹、友野 巧也¹、斎藤 蓮¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技大)

キーワード：太陽電池、非真空プロセス

これまで、我々はミストCVD法を用いてCu₂SnS₃(CTS)薄膜を作製してきた。一方Cu，Sn，Sを同時に含む溶液を作製し成膜を試みたところ，溶液の粘性が高く，ミストにできなかった。そこで，Cu, Snを含む溶液とSを含む溶液を個別に作り，これらからミストを別々に発生させミストの状態で混合して製膜することにより，硫化プロセスを経ずにミストCVD法により基板上へのCTSの堆積を試みた。