[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-12] 顕微PLマッピング測定による極性/半極性InGaN/GaN量子井戸におけるピーク波長とピーク強度の相関

〇河合 奏太¹、池田 健人¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、岡田 成仁²、只友 一行²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.山口大院創成)

キーワード：表面プラズモン、InGaN/GaN、半極性

InGaN/GaN量子井戸は量子閉じ込めシュタルク効果により緑色発光波長において発光効率が著しく低下するが，GaNの半極性面上に成長させるとこの効果を低減できる．我々はAgおよびAl薄膜を用いた表面プラズモン共鳴による発光増強に取り組み，それは半極性InGaN/GaNにも有効であると示してきた．今回は顕微PLマッピング測定によるピーク波長とピーク強度の相関関係を詳細に調べ，その発光機構を考察した．