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[23p-P07-14] 界面エネルギーに基づく高濃度Mg添加GaNにおけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の評価
キーワード:窒化ガリウム、インバージョンドメイン、界面エネルギー
Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ではMgをアクセプター不純物として高濃度でドーピングすると、逆ピラミッド状のインバージョンドメイン(PID)が形成され、さらに、キャリア濃度が低下することも報告されている。しかし、PIDの界面の安定性ならびにPID形成とMg濃度およびキャリア濃度との関係性については不明な点が多い。本研究では、界面エネルギーからPIDの形成エネルギーを見積もることで、Mg濃度とPID形成およびキャリア濃度との関係性を検討する。