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[23p-P07-6] 高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いた窒化ガリウム薄膜作製の基板温度による影響
キーワード：スパッタリング、高密度収束プラズマ、窒化ガリウム
我々はスパッタ成膜中の基板へのイオンダメージ抑制のために、高密度プラズマをターゲットに収束照射可能なスパッタ装置を提案してきた。基板ヒーター温度を非加熱から800℃とし、サファイア(0001)基板上にGaN膜を作製した。200℃以上で得られた膜の極点図において6回対称のGaN{10-11}回折ピークを得た。発表ではGaN膜のXRD測定結果の基板温度依存性について述べる。