[23p-P11-1~25] 17 ナノカーボン(ポスター)

[23p-P11-19] 二次元半導体のナノ～サブナノメートル接合構造の創出

〇(M2)一瀬 七海¹、劉 崢²、谷口 尚³、渡邊 賢司³、北浦 良¹ (1.名大理、2.産総研、3.物質・材料研究機構)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、接合超構造

本研究では、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)を用いて、数ナノ～サブナノメートルの接合幅をもつ二次元接合構造を成膜した。成長手法として、有機金属化学気相成長(MOCVD)法を用い、接合超構造のブロックを組み合わせるようにプログラム構築できる手法の確立を目指した。試料作製に用いたMOCVD装置は、ソレノイドバルブの自動開閉制御によって秒オーダーでの原料の切り替えが可能であり、原料供給を急峻かつ正確に切り替えることができる。結晶成長や光・電子物性評価についての詳細は当日議論する。