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[23p-P12-3] ZnONバッファー層を用いたサファイア基板上への単結晶Zn1-xMgxO薄膜の成長
キーワード:ZnMgO、スパッタリング、ヘテロエピタキシー
バンドギャップチューニング可能なワイドギャップ半導体としてZn1-xMgxOが注目されている.しかし,一般的に基板に用いられているサファイア基板上との間には18%程度の大きな格子不整合率があり,高品質な単結晶薄膜の成長には課題が残されている.本研究では,粒系が10 nm以下のZnO結晶粒で構成され,かつ原子レベルで平坦な表面を有するZnONバッファー層を用いることで,高Mg組成比での単結晶Zn1-xMgxO薄膜の成長に成功したので報告する.