2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-1~11] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2021年9月23日(木) 15:00 〜 16:40 P12 (ポスター)

15:00 〜 16:40

[23p-P12-3] ZnONバッファー層を用いたサファイア基板上への単結晶Zn1-xMgxO薄膜の成長

〇(M2)高橋 大智1、山下 大輔1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

キーワード:ZnMgO、スパッタリング、ヘテロエピタキシー

バンドギャップチューニング可能なワイドギャップ半導体としてZn1-xMgxOが注目されている.しかし,一般的に基板に用いられているサファイア基板上との間には18%程度の大きな格子不整合率があり,高品質な単結晶薄膜の成長には課題が残されている.本研究では,粒系が10 nm以下のZnO結晶粒で構成され,かつ原子レベルで平坦な表面を有するZnONバッファー層を用いることで,高Mg組成比での単結晶Zn1-xMgxO薄膜の成長に成功したので報告する.