[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-5] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長

〇(M1)木村 日向¹、三澤 亮太¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタエピタキシー、ZnO

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，高温領域におけるZnO層のエピタキシャル成長を行っている．これまでに，Al₂O₃基板上に直接成長を行ったところ基板温度が900 ℃付近において，(0002)面におけるXRC FWHM値が50 arcsec以下のものが得られている．今回は，高温領域で成長したZnO層の結晶性や電気的特性について検討を行ったので報告する．