16:15 〜 16:30 △ [19p-Z25-13] 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Si ヘテロ接合ダイオードの作製 〇(DC)上東 洋太1、大曲 新矢2、梅沢 仁2、山田 英明2、梁 剣波1、重川 直輝1 (1.大阪市大院工、2.産総研)