16:00 〜 16:15 [19p-Z22-9] 1550nm帯InAs/InGaAlAs量子ドットDFBレーザの作製及び特性評価 〇森田 凌介1、金子 瑠那1、勝原 龍海1、松本 敦2、赤羽 浩一2、松島 裕一1、石川 浩1、宇髙 勝之1 (1.早大理工、2.情報通信研究機構)