17:00 〜 17:50 [19p-P06-7] 高速スイッチング向け600V縦型GaN-DMOSFETの低オン抵抗化検討 〇稲本 拓朗1、福島 悠太1、田中 亮1、上野 勝典1、高島 信也1、江戸 雅晴1 (1.富士電機株式会社)